RU40L10H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU40L10H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для RU40L10H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU40L10H даташит

 ..1. Size:307K  ruichips
 ru40l10h.pdf pdf_icon

RU40L10H

RU40L10H P-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description -40V/-9.5A, RDS (ON) =19m (Typ.) @ VGS=-10V RDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD Protected SOP-8 Lead Free and Green Available Applications DC-DC Converter. P-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit

 7.1. Size:309K  ruichips
 ru40l10l.pdf pdf_icon

RU40L10H

RU40L10L P-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description -40V/-32A, RDS (ON) =20m (Typ.)@VGS=-10V RDS (ON) =30m (Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged TO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Supplies Inverter P-Channel MOSFET

 7.2. Size:883K  cn vbsemi
 ru40l10l.pdf pdf_icon

RU40L10H

RU40L10L www.VBsemi.tw P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -40 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.012 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.015 ID (A) -50 Configuration Single TO-252 S G D D G S P-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unl

 9.1. Size:765K  ruichips
 ru40l60m.pdf pdf_icon

RU40L10H

RU40L60M P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -40V/-60A, RDS (ON) =8.5m (Typ.)@VGS=-10V RDS (ON) =11m (Typ.)@VGS=-4.5V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology G S Excellent QgxRDS(on) product(FOM) S S Reliable and Rugged R li bl d R d S D 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RU4089R, RU4090L, RU4095L, RU4099Q, RU4099R, RU40E25L, RU40E32L, RU40E80L, SI2302, RU40L10L, RU40P3C, RU40P4H, RU40S4H, RU4H10P, RU4H10R, RU55111R, RU55200Q