RU40P3C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU40P3C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU40P3C
RU40P3C Datasheet (PDF)
ru40p3c.pdf
RU40P3CP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -40V/-3A, RDS (ON) =100m(Typ.)@VGS=-10VD RDS (ON) =150m(Typ.)@VGS=-4.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSSOT23-3DApplications Load SwitchDC/DC ConverterGSP-Channel MOSFETAbsolut
ru40p4h.pdf
RU40P4HP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -40V/-4.5A,RDS (ON) =60m (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green AvailableSOP-8Applications Load Switches.P-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA=25
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Liste
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