RU40P3C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU40P3C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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RU40P3C datasheet

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RU40P3C

RU40P3C P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -40V/-3A, RDS (ON) =100m (Typ.)@VGS=-10V D RDS (ON) =150m (Typ.)@VGS=-4.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S SOT23-3 D Applications Load Switch DC/DC Converter G S P-Channel MOSFET Absolut

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RU40P3C

RU40P4H P-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description -40V/-4.5A, RDS (ON) =60m (Typ.) @ VGS=-10V RDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Available SOP-8 Applications Load Switches. P-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TA=25

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