RU4H10R Todos los transistores

 

RU4H10R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU4H10R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de RU4H10R MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RU4H10R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:293K  ruichips
 ru4h10r.pdf pdf_icon

RU4H10R

RU4H10RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 400V/10A,RDS (ON) =0.45 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 23pF) Extremely high dv/dt capabilityTO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersuppliesN-Channel MOSFET LightingAbsolute Maximu

 8.1. Size:297K  ruichips
 ru4h10p.pdf pdf_icon

RU4H10R

RU4H10PN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 400V/10A,RDS (ON) =0.45 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 18pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche testedTO-220F Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersuppliesN-Channel MOSFET LightingAbsolute Maxim

Otros transistores... RU40E32L , RU40E80L , RU40L10H , RU40L10L , RU40P3C , RU40P4H , RU40S4H , RU4H10P , IRF2807 , RU55111R , RU55200Q , RU55L18L , RU55L18R , RU5H13R , RU5H18Q , RU5H5L , RU5H5P .

History: IRFR540ZPBF | SFG10R75DF | SSF5NS65UD | IRLSL3034PBF | WSC15N10 | NTP75N06L | SIRA24DP

 

 
Back to Top

 


 
.