RU55200Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU55200Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 326 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: TO-247

 Búsqueda de reemplazo de RU55200Q MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RU55200Q datasheet

 ..1. Size:287K  ruichips
 ru55200q.pdf pdf_icon

RU55200Q

RU55200Q N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 55V/200A, RDS (ON) =3.3m (Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G D S TO247 D Applications High Efficiency Synchronous Rectification in SM

Otros transistores... RU40L10H, RU40L10L, RU40P3C, RU40P4H, RU40S4H, RU4H10P, RU4H10R, RU55111R, 2N60, RU55L18L, RU55L18R, RU5H13R, RU5H18Q, RU5H5L, RU5H5P, RU5H5R, RU5H8P