RU5H13R Todos los transistores

 

RU5H13R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU5H13R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de RU5H13R MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RU5H13R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:319K  ruichips
 ru5h13r.pdf pdf_icon

RU5H13R

RU5H13RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 500V/13A, RDS (ON) =420m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplications High efficiency switch mode power supplies LightingGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Rati

 9.1. Size:283K  ruichips
 ru5h18q.pdf pdf_icon

RU5H13R

RU5H18QN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description500V/18A,RDS (ON) =0.27 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 26pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested TO-247 Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersuppliesN-Channel MOSFET LightingAbsolute Maximum

Otros transistores... RU40P4H , RU40S4H , RU4H10P , RU4H10R , RU55111R , RU55200Q , RU55L18L , RU55L18R , IRF520 , RU5H18Q , RU5H5L , RU5H5P , RU5H5R , RU5H8P , RU5H8R , RU60100R , RU60101R .

History: WNMD2176 | RU3080L | STI150N10F7 | KIA3510A-252 | SRT10N230LM | IPN95R3K7P7 | SIRA06DP

 

 
Back to Top

 


 
.