RU5H13R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RU5H13R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
Время нарастания (tr): 45 ns
Выходная емкость (Cd): 220 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.48 Ohm
Тип корпуса: TO-220
RU5H13R Datasheet (PDF)
ru5h13r.pdf
RU5H13RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 500V/13A, RDS (ON) =420m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220DApplications High efficiency switch mode power supplies LightingGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Rati
ru5h18q.pdf
RU5H18QN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description500V/18A,RDS (ON) =0.27 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 26pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested TO-247 Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersuppliesN-Channel MOSFET LightingAbsolute Maximum
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
