RU5H5P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU5H5P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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RU5H5P datasheet

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RU5H5P

RU5H5P N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 500V/5A, RDS (ON) =1200m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) GD S TO220F Applications D High efficiency switch mode power supplies Lighting G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings

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RU5H5P

RU5H5L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 500V/5A, RDS (ON) =1.3 (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Switch Model Power Supplies Electronic Lamp Ballasts N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol

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RU5H5P

RU5H5R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 500V/5A, RDS (ON) =1.2 (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications High efficiency switch mode power supplies Lighting N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol

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