RU5H5P Todos los transistores

 

RU5H5P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU5H5P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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RU5H5P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  ruichips
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RU5H5P

RU5H5PN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 500V/5A, RDS (ON) =1200m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220FApplications D High efficiency switch mode power supplies LightingGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratings

 9.1. Size:286K  ruichips
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RU5H5P

RU5H5LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 500V/5A,RDS (ON) =1.3(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switch Model Power Supplies Electronic Lamp BallastsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol

 9.2. Size:313K  ruichips
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RU5H5P

RU5H5RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 500V/5A,RDS (ON) =1.2(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications High efficiency switch mode powersupplies LightingN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol

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