RU5H5R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU5H5R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU5H5R
RU5H5R Datasheet (PDF)
ru5h5r.pdf
RU5H5RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 500V/5A,RDS (ON) =1.2(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications High efficiency switch mode powersupplies LightingN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol
ru5h5p.pdf
RU5H5PN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 500V/5A, RDS (ON) =1200m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220FApplications D High efficiency switch mode power supplies LightingGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratings
ru5h5l.pdf
RU5H5LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 500V/5A,RDS (ON) =1.3(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switch Model Power Supplies Electronic Lamp BallastsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol
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Liste
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