RU5H5R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU5H5R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 78 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 15 nC
Tiempo de subida (tr): 35 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 95 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
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RU5H5R Datasheet (PDF)
ru5h5r.pdf
RU5H5RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 500V/5A,RDS (ON) =1.2(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications High efficiency switch mode powersupplies LightingN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol
ru5h5p.pdf
RU5H5PN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 500V/5A, RDS (ON) =1200m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220FApplications D High efficiency switch mode power supplies LightingGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratings
ru5h5l.pdf
RU5H5LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 500V/5A,RDS (ON) =1.3(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switch Model Power Supplies Electronic Lamp BallastsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol
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