RU5H5R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RU5H5R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 78 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
Время нарастания (tr): 35 ns
Выходная емкость (Cd): 95 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO-220
RU5H5R Datasheet (PDF)
ru5h5r.pdf
RU5H5RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 500V/5A,RDS (ON) =1.2(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications High efficiency switch mode powersupplies LightingN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol
ru5h5p.pdf
RU5H5PN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 500V/5A, RDS (ON) =1200m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO220FApplications D High efficiency switch mode power supplies LightingGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratings
ru5h5l.pdf
RU5H5LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 500V/5A,RDS (ON) =1.3(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switch Model Power Supplies Electronic Lamp BallastsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
