RU6050S Todos los transistores

 

RU6050S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU6050S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 86 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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RU6050S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:293K  ruichips
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RU6050S

RU6050SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/50A,RDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices AvailableTO-263(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Ra

 8.1. Size:302K  ruichips
ru6050r.pdf pdf_icon

RU6050S

RU6050RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/50A,RDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Ra

 8.2. Size:290K  ruichips
ru6050l.pdf pdf_icon

RU6050S

RU6050LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/50A,RDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rat

 9.1. Size:372K  ruichips
ru6051k.pdf pdf_icon

RU6050S

RU6051KN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/50A, RDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =12m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO251DDDDDDDApplicationspp DC-DC Converters

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History: IRFR210

 

 
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