Справочник MOSFET. RU6050S

 

RU6050S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU6050S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 86 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для RU6050S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6050S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:293K  ruichips
 ru6050s.pdf pdf_icon

RU6050S

RU6050SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/50A,RDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices AvailableTO-263(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Ra

 8.1. Size:302K  ruichips
 ru6050r.pdf pdf_icon

RU6050S

RU6050RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/50A,RDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Ra

 8.2. Size:290K  ruichips
 ru6050l.pdf pdf_icon

RU6050S

RU6050LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/50A,RDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rat

 9.1. Size:372K  ruichips
 ru6051k.pdf pdf_icon

RU6050S

RU6051KN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/50A, RDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =12m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO251DDDDDDDApplicationspp DC-DC Converters

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU60101R , RU60120R , RU60190R , RU60200R , RU602B , RU60450Q , RU6050L , RU6050R , 2N7002 , RU6051K , RU6055L , RU6055R , RU6055S , RU6070L , RU6075R , RU6080L , RU6099R .

History: IRFB4610PBF | AM7363P

 

 
Back to Top

 


 
.