RU6051K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU6051K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 86 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: TO-251

 Búsqueda de reemplazo de RU6051K MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RU6051K datasheet

 ..1. Size:372K  ruichips
ru6051k.pdf pdf_icon

RU6051K

RU6051K N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/50A, RDS (ON) =10m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =12m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G D S TO251 D D D D D D D Applications pp DC-DC Converters

 8.1. Size:325K  ruichips
ru6051h.pdf pdf_icon

RU6051K

RU6051H N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/50A, D RDS (ON) =8.5m (Typ.)@VGS=10V D RDS (ON) =9.5m (Typ.)@VGS=4.5V D Uses Ruichips Advanced TrenchTM Technology D Ultra Low On-Resistance G Fast Switching Speed S 100% Avalanche Tested S Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) S SOP-8 D D D D (8

 9.1. Size:293K  ruichips
ru6050s.pdf pdf_icon

RU6051K

RU6050S N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/50A, RDS (ON) =10m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available TO-263 (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Ra

 9.2. Size:296K  ruichips
ru6055s.pdf pdf_icon

RU6051K

RU6055S N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/60A, RDS (ON) =9m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature TO-263 Lead Free,RoHS compliant Applications Switching Application Systems N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit C

Otros transistores... RU60120R, RU60190R, RU60200R, RU602B, RU60450Q, RU6050L, RU6050R, RU6050S, AOD4184A, RU6055L, RU6055R, RU6055S, RU6070L, RU6075R, RU6080L, RU6099R, RU6099S