RU6051K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU6051K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 86 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для RU6051K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU6051K даташит

 ..1. Size:372K  ruichips
ru6051k.pdfpdf_icon

RU6051K

RU6051K N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/50A, RDS (ON) =10m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =12m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G D S TO251 D D D D D D D Applications pp DC-DC Converters

 8.1. Size:325K  ruichips
ru6051h.pdfpdf_icon

RU6051K

RU6051H N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/50A, D RDS (ON) =8.5m (Typ.)@VGS=10V D RDS (ON) =9.5m (Typ.)@VGS=4.5V D Uses Ruichips Advanced TrenchTM Technology D Ultra Low On-Resistance G Fast Switching Speed S 100% Avalanche Tested S Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) S SOP-8 D D D D (8

 9.1. Size:293K  ruichips
ru6050s.pdfpdf_icon

RU6051K

RU6050S N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/50A, RDS (ON) =10m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available TO-263 (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Ra

 9.2. Size:296K  ruichips
ru6055s.pdfpdf_icon

RU6051K

RU6055S N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/60A, RDS (ON) =9m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature TO-263 Lead Free,RoHS compliant Applications Switching Application Systems N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit C

Другие IGBT... RU60120R, RU60190R, RU60200R, RU602B, RU60450Q, RU6050L, RU6050R, RU6050S, AOD4184A, RU6055L, RU6055R, RU6055S, RU6070L, RU6075R, RU6080L, RU6099R, RU6099S