2SJ151 Todos los transistores

 

2SJ151 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SJ151
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SJ151

 

2SJ151 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:84K  no
2sj154.pdf

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 9.2. Size:194K  inchange semiconductor
2sj156.pdf

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INCHANGE Semiconductorisc P-Channel MOSFET Transistor 2SJ156DESCRIPTIONLow Drain-Source ON ResisitanceHigh Forward Transfer AdmittanceLow Leakage CurrentEnhancement-ModeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operation.APPLICATIONSHigh speed switching applicationSwitching regulator ,DC-DC converter and Motordrive application

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