2SJ151 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SJ151
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SJ151
2SJ151 Datasheet (PDF)
2sj156.pdf
INCHANGE Semiconductorisc P-Channel MOSFET Transistor 2SJ156DESCRIPTIONLow Drain-Source ON ResisitanceHigh Forward Transfer AdmittanceLow Leakage CurrentEnhancement-ModeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operation.APPLICATIONSHigh speed switching applicationSwitching regulator ,DC-DC converter and Motordrive application
Otros transistores... 2SJ136 , 2SJ137 , 2SJ138 , 2SJ139 , 2SJ140 , 2SJ141 , 2SJ142 , 2SJ143 , IRFB4115 , 2SJ152 , 2SJ165 , 2SJ166 , 2SJ178 , 2SJ179 , 2SJ180 , 2SJ184 , 2SJ185 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918