2SJ151 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SJ151  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2SJ151

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ151 даташит

 9.1. Size:84K  no
 2sj154.pdf pdf_icon

2SJ151

 9.2. Size:194K  inchange semiconductor
 2sj156.pdf pdf_icon

2SJ151

INCHANGE Semiconductor isc P-Channel MOSFET Transistor 2SJ156 DESCRIPTION Low Drain-Source ON Resisitance High Forward Transfer Admittance Low Leakage Current Enhancement-Mode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS High speed switching application Switching regulator ,DC-DC converter and Motor drive application

Другие IGBT... 2SJ136, 2SJ137, 2SJ138, 2SJ139, 2SJ140, 2SJ141, 2SJ142, 2SJ143, 10N60, 2SJ152, 2SJ165, 2SJ166, 2SJ178, 2SJ179, 2SJ180, 2SJ184, 2SJ185