RU60E25L Todos los transistores

 

RU60E25L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU60E25L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.7 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 55 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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RU60E25L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  ruichips
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RU60E25L

RU60E25LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/25A,RDS (ON) =35m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =42m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management.N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParamete

 ..2. Size:804K  cn vbsemi
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RU60E25L

RU60E25Lwww.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise note

 7.1. Size:303K  ruichips
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RU60E25L

RU60E25RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/25A,RDS (ON) =35m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design ESD protected 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power ManagementN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings

 9.1. Size:287K  ruichips
ru60e16l.pdf pdf_icon

RU60E25L

RU60E16LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/16A,RDS (ON) =60m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =75m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power ManagementN-Channel MOSFETAbsolute Maximum

Otros transistores... RU6075R , RU6080L , RU6099R , RU6099S , RU60C20R5 , RU60D5H , RU60E16L , RU60E16R , 50N06 , RU60E25R , RU60E5D , RU60E5H , RU60E6D , RU60E6H , RU60P60R , RU6199Q , RU6199R .

History: MTC3585N6 | MTB35N04J3 | SMY52 | IPI65R280C6

 

 
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