RU60E25L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU60E25L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RU60E25L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU60E25L даташит

 ..1. Size:284K  ruichips
ru60e25l.pdfpdf_icon

RU60E25L

RU60E25L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/25A, RDS (ON) =35m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =42m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged TO252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management. N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Paramete

 ..2. Size:804K  cn vbsemi
ru60e25l.pdfpdf_icon

RU60E25L

RU60E25L www.VBsemi.tw N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a Available 175 C Junction Temperature 0.025 at VGS = 10 V 35 RoHS* 60 0.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANT TO-252 D G Drain Connected to Tab G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise note

 7.1. Size:303K  ruichips
ru60e25r.pdfpdf_icon

RU60E25L

RU60E25R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/25A, RDS (ON) =35m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design ESD protected 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common Ratings

 9.1. Size:287K  ruichips
ru60e16l.pdfpdf_icon

RU60E25L

RU60E16L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/16A, RDS (ON) =60m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =75m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged TO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management N-Channel MOSFET Absolute Maximum

Другие IGBT... RU6075R, RU6080L, RU6099R, RU6099S, RU60C20R5, RU60D5H, RU60E16L, RU60E16R, 50N06, RU60E25R, RU60E5D, RU60E5H, RU60E6D, RU60E6H, RU60P60R, RU6199Q, RU6199R