RU60E25L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RU60E25L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для RU60E25L
RU60E25L Datasheet (PDF)
ru60e25l.pdf

RU60E25LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/25A,RDS (ON) =35m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =42m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management.N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParamete
ru60e25l.pdf

RU60E25Lwww.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise note
ru60e25r.pdf

RU60E25RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/25A,RDS (ON) =35m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design ESD protected 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power ManagementN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings
ru60e16l.pdf

RU60E16LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/16A,RDS (ON) =60m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =75m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power ManagementN-Channel MOSFETAbsolute Maximum
Другие MOSFET... RU6075R , RU6080L , RU6099R , RU6099S , RU60C20R5 , RU60D5H , RU60E16L , RU60E16R , 50N06 , RU60E25R , RU60E5D , RU60E5H , RU60E6D , RU60E6H , RU60P60R , RU6199Q , RU6199R .
History: TK70D06J1 | FDB6690S | KND4820B | WMK4N150D1 | SCG3019 | RF1S70N06SM | SNN300L06D
History: TK70D06J1 | FDB6690S | KND4820B | WMK4N150D1 | SCG3019 | RF1S70N06SM | SNN300L06D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381