RU60E25R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU60E25R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de RU60E25R MOSFET
RU60E25R Datasheet (PDF)
ru60e25r.pdf

RU60E25RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/25A,RDS (ON) =35m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design ESD protected 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power ManagementN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings
ru60e25l.pdf

RU60E25LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/25A,RDS (ON) =35m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =42m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management.N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParamete
ru60e25l.pdf

RU60E25Lwww.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise note
ru60e16l.pdf

RU60E16LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/16A,RDS (ON) =60m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =75m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power ManagementN-Channel MOSFETAbsolute Maximum
Otros transistores... RU6080L , RU6099R , RU6099S , RU60C20R5 , RU60D5H , RU60E16L , RU60E16R , RU60E25L , IRF640 , RU60E5D , RU60E5H , RU60E6D , RU60E6H , RU60P60R , RU6199Q , RU6199R , RU65120R .



Liste
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