RU60E25R - аналоги и даташиты транзистора

 

RU60E25R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RU60E25R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RU60E25R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU60E25R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  ruichips
 ru60e25r.pdf pdf_icon

RU60E25R

RU60E25RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/25A,RDS (ON) =35m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design ESD protected 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power ManagementN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings

 7.1. Size:284K  ruichips
 ru60e25l.pdf pdf_icon

RU60E25R

RU60E25LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/25A,RDS (ON) =35m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =42m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Management.N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParamete

 7.2. Size:804K  cn vbsemi
 ru60e25l.pdf pdf_icon

RU60E25R

RU60E25Lwww.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise note

 9.1. Size:287K  ruichips
 ru60e16l.pdf pdf_icon

RU60E25R

RU60E16LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/16A,RDS (ON) =60m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =75m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power ManagementN-Channel MOSFETAbsolute Maximum

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU6080L , RU6099R , RU6099S , RU60C20R5 , RU60D5H , RU60E16L , RU60E16R , RU60E25L , IRF640 , RU60E5D , RU60E5H , RU60E6D , RU60E6H , RU60P60R , RU6199Q , RU6199R , RU65120R .

 

 
Back to Top

 


 
.