RU6199Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU6199Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 155 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU6199Q

RU6199Q Datasheet (PDF)

..1. Size:285K ruichips
ru6199q.pdf

RU6199QN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/200ARDS (ON)=2.8 m (Typ.) @ VGS=10VAvalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableApplicationsTO-247Automotive applications and a widevariety of other applicationsHigh Efficiency Synchronous in SMPSHigh Speed Power SwitchingN-Channel MOSFETAbsolute Maximum

8.1. Size:297K ruichips
ru6199r.pdf

RU6199RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/200ARDS (ON)=2.8 m (Typ.) @ VGS=10VAvalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTO-220ApplicationsAutomotive applications and a widevariety of other applicationsHigh Efficiency Synchronous in SMPSHigh Speed Power SwitchingN-Channel MOSFETAbsolute Maximum

8.2. Size:1131K ruichips
ru6199s.pdf

RU6199SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/200A,D RDS (ON) =2.8m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedGS Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)TO263DApplications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching ApplicationsGSN-Channel MOSFETAbsolu

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: