RU6199Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU6199Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de RU6199Q MOSFET
RU6199Q Datasheet (PDF)
ru6199q.pdf
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ru6199r.pdf
RU6199RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/200ARDS (ON)=2.8 m (Typ.) @ VGS=10VAvalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTO-220ApplicationsAutomotive applications and a widevariety of other applicationsHigh Efficiency Synchronous in SMPSHigh Speed Power SwitchingN-Channel MOSFETAbsolute Maximum
ru6199s.pdf
RU6199SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/200A,D RDS (ON) =2.8m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedGS Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)TO263DApplications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching ApplicationsGSN-Channel MOSFETAbsolu
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History: WMB018N04LG2
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