RU6199Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU6199Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm

Encapsulados: TO-247

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RU6199Q datasheet

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RU6199Q

RU6199Q N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/200A RDS (ON)=2.8 m (Typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available Applications TO-247 Automotive applications and a wide variety of other applications High Efficiency Synchronous in SMPS High Speed Power Switching N-Channel MOSFET Absolute Maximum

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RU6199Q

RU6199R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/200A RDS (ON)=2.8 m (Typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available TO-220 Applications Automotive applications and a wide variety of other applications High Efficiency Synchronous in SMPS High Speed Power Switching N-Channel MOSFET Absolute Maximum

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RU6199Q

RU6199S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/200A, D RDS (ON) =2.8m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested G S Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO263 D Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching Applications G S N-Channel MOSFET Absolu

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