RU6581L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU6581L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 81 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de RU6581L MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RU6581L datasheet

 ..1. Size:294K  ruichips
 ru6581l.pdf pdf_icon

RU6581L

RU6581L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 65V/81A, RDS (ON) =7m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Switching Application Systems UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Paramete

 8.1. Size:303K  ruichips
 ru6581r.pdf pdf_icon

RU6581L

RU6581R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 65V/81A, RDS (ON) =7m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Switching Application Systems UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Paramete

Otros transistores... RU60E5D, RU60E5H, RU60E6D, RU60E6H, RU60P60R, RU6199Q, RU6199R, RU65120R, IRFB4227, RU6581R, RU6881R, RU6888M, RU6888S, RU6H1L, RU6H2K, RU6H2L, RU6H2R