RU6581L Todos los transistores

 

RU6581L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU6581L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 81 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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RU6581L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:294K  ruichips
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RU6581L

RU6581LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 65V/81A,RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switching Application Systems UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParamete

 8.1. Size:303K  ruichips
 ru6581r.pdf pdf_icon

RU6581L

RU6581RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 65V/81A,RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switching Application Systems UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParamete

Otros transistores... RU60E5D , RU60E5H , RU60E6D , RU60E6H , RU60P60R , RU6199Q , RU6199R , RU65120R , IRF3710 , RU6581R , RU6881R , RU6888M , RU6888S , RU6H1L , RU6H2K , RU6H2L , RU6H2R .

History: TK9A55DA | STF21NM50N | AP2305AGN | BSC072N08NS5 | TK5A53D | SI3134K | RU60E16L

 

 
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