RU6H2R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU6H2R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU6H2R

RU6H2R Datasheet (PDF)

..1. Size:294K ruichips
ru6h2r.pdf

RU6H2RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description600V/2A,RDS (ON) =4 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 5pF) Extremely high dv/dt capabilityTO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green AvailableApplications High efficiency switch mode powersuppliesN-Channel MOSFET LightingAbsolute Maximum Ratin

9.1. Size:286K ruichips
ru6h2k.pdf

RU6H2KN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 600V/2A, RDS (ON) =4000m(Typ.)@VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 5pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GDSTO251DApplications High efficiency switch mode power supplies LightingGSN-Cha

9.2. Size:328K ruichips
ru6h2l.pdf

RU6H2LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 600V/2A,D RDS (ON) =4000m(Typ.)@VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 5pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DApplications High efficiency switch mode power supplies LightingGSN-Cha

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: