RU6H2R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU6H2R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: TO-220

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RU6H2R datasheet

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RU6H2R

RU6H2R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 600V/2A, RDS (ON) =4 (Typ.) @ VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 5pF) Extremely high dv/dt capability TO-220 100% avalanche tested Lead Free and Green Available Applications High efficiency switch mode power supplies N-Channel MOSFET Lighting Absolute Maximum Ratin

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RU6H2R

RU6H2K N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 600V/2A, RDS (ON) =4000m (Typ.)@VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 5pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G D S TO251 D Applications High efficiency switch mode power supplies Lighting G S N-Cha

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RU6H2R

RU6H2L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 600V/2A, D RDS (ON) =4000m (Typ.)@VGS=10V Gate charge minimized Low Crss( Typ. 5pF) Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO252 D Applications High efficiency switch mode power supplies Lighting G S N-Cha

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