RU6Z5R Todos los transistores

 

RU6Z5R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU6Z5R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 83 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 20 nC
   Tiempo de subida (tr): 110 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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RU6Z5R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:293K  ruichips
ru6z5r.pdf

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RU6Z5RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 650V/4.5A, RDS (ON) =1800m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Fast Switching 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)TO220Applications High efficiency switch mode power supplies LightingN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Param

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