RU70E4H Todos los transistores

 

RU70E4H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU70E4H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.7 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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RU70E4H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  ruichips
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RU70E4H

RU70E4HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 70V/4A,RDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =90m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD ProtectedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power Management ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rat

 8.1. Size:252K  ruichips
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RU70E4H

RU70E4DN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 70V/4A,RDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =90m (Typ.) @ VGS=4.5V ESD Protected Reliable and RuggedSOT-223 Ultra Low On-Resistance Lead Free and Green AvailableApplications Power Management DC-DC ConverterN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter R

 9.1. Size:290K  ruichips
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RU70E4H

RU70E15LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 70V/15A,RDS (ON) =90m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =100m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power ManagementN-Channel MOSFETAbsolute Maximu

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History: 2SK4065 | SDU02N60 | APT6030BVR | HFB1N60F | FDP2710F085

 

 
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