RU7550S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU7550S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 111 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 75 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 55 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 35 nC
   Tiempo de subida (tr): 55 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 280 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU7550S

RU7550S Datasheet (PDF)

..1. Size:287K ruichips
ru7550s.pdf

RU7550SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 75V/55A,RDS (ON) =11m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-263Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Automotive Load Control Electronic Power Steering SystemN-Channel MOSFET Elec

8.1. Size:296K ruichips
ru7550r.pdf

RU7550RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 75V/55A,RDS (ON) =11m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Automotive Load Control Electronic Power Steering SystemN-Channel MOSFET Elec

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Liste

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