Справочник MOSFET. RU7550S

 

RU7550S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU7550S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 111 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для RU7550S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU7550S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  ruichips
 ru7550s.pdf pdf_icon

RU7550S

RU7550SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 75V/55A,RDS (ON) =11m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-263Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Automotive Load Control Electronic Power Steering SystemN-Channel MOSFET Elec

 8.1. Size:296K  ruichips
 ru7550r.pdf pdf_icon

RU7550S

RU7550RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 75V/55A,RDS (ON) =11m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Automotive Load Control Electronic Power Steering SystemN-Channel MOSFET Elec

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SSF25N40A | SSF4N80AS

 

 
Back to Top

 


 
.