RU7550S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RU7550S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 111 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для RU7550S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU7550S даташит

 ..1. Size:287K  ruichips
 ru7550s.pdf pdf_icon

RU7550S

RU7550S N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 75V/55A, RDS (ON) =11m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-263 Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Automotive Load Control Electronic Power Steering System N-Channel MOSFET Elec

 8.1. Size:296K  ruichips
 ru7550r.pdf pdf_icon

RU7550S

RU7550R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 75V/55A, RDS (ON) =11m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220 Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Automotive Load Control Electronic Power Steering System N-Channel MOSFET Elec

Другие IGBT... RU75110S, RU75150R, RU75170S, RU75210R, RU75230S, RU75260Q, RU75400Q, RU7550R, CS150N03A8, RU7570L, RU7580R, RU7582S, RU7590R, RU7H2K, RU80100R, RU80100S, RU80190R