RU7582S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU7582S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 82 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 85 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU7582S
RU7582S Datasheet (PDF)
ru7582s.pdf
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ru7580r.pdf
RU7580RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 75V/80A,RDS (ON) =8m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Motor ControlN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Rat
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RU7588R3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 80V/80A,Insulation Slug RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Insulation Slug(VISO1500VAC) Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedF t S it hi d F ll A l h R t d 100% avalanche tested 175C Operating TemperatureS Lead Free and Green
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Liste
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