RU80190R Todos los transistores

 

RU80190R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU80190R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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RU80190R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  ruichips
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RU80190R

RU80190RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 80V/190A,RDS (ON) =3.1m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems Inv

 9.1. Size:336K  ruichips
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RU80190R

RU80100R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 80V/100A, RDS (ON) =5.5m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications High Current Switching Applicati

 9.2. Size:323K  ruichips
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RU80190R

RU80100SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 80V/100A, RDS (ON) =5.5m (Typ.) @ VGS=10VD Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableGSTO263DApplications High Current Switching Applications

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History: SI7382DP | STI12NM50N | SWHA7N65D | HSM3214 | NTLJD4116N | IRLZ34S | SSF6401

 

 
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