RU80190R Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU80190R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
Encapsulados: TO-220
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RU80190R datasheet
ru80190r.pdf
RU80190R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 80V/190A, RDS (ON) =3.1m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems Inv
ru80100r.pdf
RU80100R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 80V/100A, RDS (ON) =5.5m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications High Current Switching Applicati
ru80100s.pdf
RU80100S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 80V/100A, RDS (ON) =5.5m (Typ.) @ VGS=10V D Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Available G S TO263 D Applications High Current Switching Applications
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