RU80190R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU80190R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 158 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU80190R

RU80190R Datasheet (PDF)

..1. Size:302K ruichips
ru80190r.pdf

RU80190RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 80V/190A,RDS (ON) =3.1m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems Inv

9.1. Size:336K ruichips
ru80100r.pdf

RU80100R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 80V/100A, RDS (ON) =5.5m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated TO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications High Current Switching Applicati

9.2. Size:323K ruichips
ru80100s.pdf

RU80100SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 80V/100A, RDS (ON) =5.5m (Typ.) @ VGS=10VD Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableGSTO263DApplications High Current Switching Applications

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: