RU8080R Todos los transistores

 

RU8080R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU8080R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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RU8080R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  ruichips
 ru8080r.pdf pdf_icon

RU8080R

RU8080RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 80V/80A,RDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon

 8.1. Size:294K  ruichips
 ru8080s.pdf pdf_icon

RU8080R

RU8080SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 80V/80A,RDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices AvailableTO-263(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon

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History: 2SK0123 | IRL3705ZSPBF | 2SK3541M | WMK053NV8HGS | SI7117DN | SJMN099R65SW | SSP80R380S2

 

 
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