Справочник MOSFET. RU8080R

 

RU8080R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RU8080R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 58 nC
   trⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для RU8080R

 

 

RU8080R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  ruichips
 ru8080r.pdf

RU8080R RU8080R

RU8080RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 80V/80A,RDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon

 8.1. Size:294K  ruichips
 ru8080s.pdf

RU8080R RU8080R

RU8080SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 80V/80A,RDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices AvailableTO-263(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top