RU8080R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU8080R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для RU8080R
RU8080R Datasheet (PDF)
ru8080r.pdf

RU8080RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 80V/80A,RDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon
ru8080s.pdf

RU8080SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 80V/80A,RDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices AvailableTO-263(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon
Другие MOSFET... RU7570L , RU7580R , RU7582S , RU7590R , RU7H2K , RU80100R , RU80100S , RU80190R , IRFP250 , RU8080S , RU8099R , RU80N15Q , RU80N15R , RU80N15S , RU80T4H , RU8205C6 , RU8205G .
History: 2SK709 | WTC4501 | SSW7N60B | SMK1065F | AP2C016LMT | AOB466L | STF30N65M5
History: 2SK709 | WTC4501 | SSW7N60B | SMK1065F | AP2C016LMT | AOB466L | STF30N65M5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733