RUF015N02TL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RUF015N02TL
Código: PS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.8 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 10 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 1.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Tiempo de subida (tr): 5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 18 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TUMT3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RUF015N02TL
RUF015N02TL Datasheet (PDF)
ruf015n02tl.pdf
RUF015N02 Transistors 1.8V Drive Nch MOSFET RUF015N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT3). 3) Low voltage drive (1.8V drive). (1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : PS Applications(3) DrainSwitching Packaging specifications Inner circuit (3)P
ruf015n02.pdf
RUF015N02 Transistors 1.8V Drive Nch MOSFET RUF015N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT3). 3) Low voltage drive (1.8V drive). (1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : PS Applications(3) DrainSwitching Packaging specifications Inner circuit (3)P
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Liste
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