Справочник MOSFET. RUF015N02TL

 

RUF015N02TL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RUF015N02TL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TUMT3
 

 Аналог (замена) для RUF015N02TL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUF015N02TL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  ruichips
 ruf015n02tl.pdf pdf_icon

RUF015N02TL

RUF015N02 Transistors 1.8V Drive Nch MOSFET RUF015N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT3). 3) Low voltage drive (1.8V drive). (1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : PS Applications(3) DrainSwitching Packaging specifications Inner circuit (3)P

 5.1. Size:110K  rohm
 ruf015n02.pdf pdf_icon

RUF015N02TL

RUF015N02 Transistors 1.8V Drive Nch MOSFET RUF015N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT3). 3) Low voltage drive (1.8V drive). (1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : PS Applications(3) DrainSwitching Packaging specifications Inner circuit (3)P

Другие MOSFET... RU80N15R , RU80N15S , RU80T4H , RU8205C6 , RU8205G , RU8590R , RUE002N02TL , RUE003N02TL , IRF2807 , RUF025N02TL , RUL035N02TR , RUM001L02 , RUM002N02T2L , RUM002N05T2L , RUM003N02T2L , RUQ050N02FRA , RUQ050N02TR .

History: CS24N50ANHD | HMS8N70 | STF8NM50N | TPC6108 | STD12N65M5 | WMK030N06HG4 | AMA960N

 

 
Back to Top

 


 
.