RUF015N02TL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RUF015N02TL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TUMT3

Аналог (замена) для RUF015N02TL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUF015N02TL даташит

 ..1. Size:109K  ruichips
 ruf015n02tl.pdf pdf_icon

RUF015N02TL

RUF015N02 Transistors 1.8V Drive Nch MOSFET RUF015N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT3). 3) Low voltage drive (1.8V drive). (1) Gate (2) Source Abbreviated symbol PS Applications (3) Drain Switching Packaging specifications Inner circuit (3) P

 5.1. Size:110K  rohm
 ruf015n02.pdf pdf_icon

RUF015N02TL

RUF015N02 Transistors 1.8V Drive Nch MOSFET RUF015N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT3). 3) Low voltage drive (1.8V drive). (1) Gate (2) Source Abbreviated symbol PS Applications (3) Drain Switching Packaging specifications Inner circuit (3) P

Другие IGBT... RU80N15R, RU80N15S, RU80T4H, RU8205C6, RU8205G, RU8590R, RUE002N02TL, RUE003N02TL, STF13NM60N, RUF025N02TL, RUL035N02TR, RUM001L02, RUM002N02T2L, RUM002N05T2L, RUM003N02T2L, RUQ050N02FRA, RUQ050N02TR