RUQ050N02FRA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RUQ050N02FRA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: TSMT6

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RUQ050N02FRA datasheet

 ..1. Size:1854K  ruichips
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RUQ050N02FRA

AEC-Q101 Qualified 1.5V Drive Nch MOSFET RUQ050N02 RUQ050N02FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 3) 1.5V drive Applications Switching Each lead has same dimensions Abbreviated symbol XG Packaging specifications Inner circuit Package T

 5.1. Size:1078K  rohm
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RUQ050N02FRA

1.5V Drive Nch MOSFET RUQ050N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 3) 1.5V drive Applications Switching Each lead has same dimensions Abbreviated symbol XG Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code

 5.2. Size:540K  ruichips
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RUQ050N02FRA

1.5V Drive Nch MOSFET RUQ050N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 3) 1.5V drive Applications Switching Each lead has same dimensions Abbreviated symbol XG Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code

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