RUQ050N02TR Todos los transistores

 

RUQ050N02TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RUQ050N02TR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6
 

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RUQ050N02TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:540K  ruichips
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RUQ050N02TR

1.5V Drive Nch MOSFET RUQ050N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 3) 1.5V drive ApplicationsSwitching Each lead has same dimensions Abbreviated symbol : XGPackaging specifications Inner circuit Package Taping(6) (5) (4)Type Code

 5.1. Size:1078K  rohm
 ruq050n02.pdf pdf_icon

RUQ050N02TR

1.5V Drive Nch MOSFET RUQ050N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 3) 1.5V drive ApplicationsSwitching Each lead has same dimensions Abbreviated symbol : XGPackaging specifications Inner circuit Package Taping(6) (5) (4)Type Code

 5.2. Size:1854K  ruichips
 ruq050n02fra.pdf pdf_icon

RUQ050N02TR

AEC-Q101 Qualified1.5V Drive Nch MOSFET RUQ050N02RUQ050N02FRAStructure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 3) 1.5V drive ApplicationsSwitching Each lead has same dimensionsAbbreviated symbol : XGPackaging specificationsInner circuitPackage T

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History: 2SK3355-ZJ | HGW055N10SL | SWP10N50K | NCE70N290I | TF2302 | AP04N60S-H-HF

 

 
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