RUS100N02 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RUS100N02
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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RUS100N02 datasheet
rus100n02.pdf
RUS100N02 Datasheet Nch 20V 10A Middle Power MOSFET lOutline l SOP8 VDSS 20V RDS(on)(Max.) 12m ID 10A PD 2.0W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (SOP8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. lPackaging speci
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Liste
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