PHB146NQ06LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHB146NQ06LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 755 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHB146NQ06LT

PHB146NQ06LT Datasheet (PDF)

..1. Size:86K philips
phb146nq06lt.pdf

PHB146NQ06LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 10 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC-to-DC co

9.1. Size:83K philips
phb145nq06t.pdf

PHB145NQ06TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 06 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Standard level threshold Low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC-to-DC converter

9.2. Size:64K philips
phb14nq20t php14nq20t 1.pdf

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP14NQ20T, PHB14NQ20T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching High thermal cycling performance ID = 14 A Low thermal resistancegRDS(ON) 230 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power

9.3. Size:85K philips
phb143nq04t php143nq04t.pdf

PHP/PHB143NQ04TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 13 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Standard level threshold Very low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC-to-DC

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: