PHB23NQ10LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHB23NQ10LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 129 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de PHB23NQ10LT MOSFET
PHB23NQ10LT Datasheet (PDF)
phb23nq10lt.pdf

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phb23nq10t phd23nq10t php23nq10t 1.pdf

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History: IPB100N04S4-H2 | PMXB56EN | 75N75L-TQ2-R
History: IPB100N04S4-H2 | PMXB56EN | 75N75L-TQ2-R



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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