PHB23NQ10LT Todos los transistores

 

PHB23NQ10LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHB23NQ10LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 129 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

 Búsqueda de reemplazo de PHB23NQ10LT MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PHB23NQ10LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  philips
 phb23nq10lt.pdf pdf_icon

PHB23NQ10LT

PHB23NQ10LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 11 July 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold TrenchMOS technology Fast switching1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switch

 5.1. Size:102K  philips
 phb23nq10t phd23nq10t php23nq10t 1.pdf pdf_icon

PHB23NQ10LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP23NQ10T, PHB23NQ10T PHD23NQ10TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 23 AgRDS(ON) 70 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

 6.1. Size:101K  philips
 phb23nq15t php23nq15t 1.pdf pdf_icon

PHB23NQ10LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP23NQ15T, PHB23NQ15T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 150 V Fast switching Low thermal resistance ID = 23 AgRDS(ON) 90 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic enve

Otros transistores... PHB152NQ03LTA , PHB153NQ08LT , PHB160NQ08T , PHB174NQ04LT , PHB176NQ04T , PHB193NQ06T , PHB222NQ04LT , PHB225NQ04T , 20N60 , PHB38N02LT , PHB4ND40E , PHB73N06T , PHB78NQ03LT , PHB95NQ04LT , PHB96NQ03LT , PHD108NQ03LT , PHD14NQ20T .

History: 2SK1384R

 

 
Back to Top

 


 
.