PHB95NQ04LT Todos los transistores

 

PHB95NQ04LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHB95NQ04LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 157 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 106 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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PHB95NQ04LT Datasheet (PDF)

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PHB95NQ04LT

PHB95NQ04LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 11 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC-to-DC con

 8.1. Size:104K  philips
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PHB95NQ04LT

PHP/PHB/PHE95N03LTTrenchMOS logic level FETRev. 02 01 February 2002 Product data1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHP95N03LT in SOT78 (TO-220AB)PHB95N03LT in SOT404 (D2-PAK)PHE95N03LT in SOT226 (I2-PAK).2. Features Low on-state resistance Fast switching.3. App

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History: LSB55R050GT | HM10P10D

 

 
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