PHB95NQ04LT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHB95NQ04LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 157 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 106 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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PHB95NQ04LT datasheet

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PHB95NQ04LT

PHB95NQ04LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 11 May 2004 Product data 1. Product profile 1.1 Description Logic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Low on-state resistance. 1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC-to-DC con

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PHB95NQ04LT

PHP/PHB/PHE95N03LT TrenchMOS logic level FET Rev. 02 01 February 2002 Product data 1. Description N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability PHP95N03LT in SOT78 (TO-220AB) PHB95N03LT in SOT404 (D2-PAK) PHE95N03LT in SOT226 (I2-PAK). 2. Features Low on-state resistance Fast switching. 3. App

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