PHD108NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHD108NQ03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 102 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHD108NQ03LT

PHD108NQ03LT Datasheet (PDF)

..1. Size:94K philips
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PHB/PHD/PHU108NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 03 18 April 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance Lead-free construction Low gate charge1.3 Applicati

..2. Size:253K philips
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PHP/PHB/PHD108NQ03LTTrenchMOS logic level FETRev. 02 11 September 2002 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHP108NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)PHB108NQ03LT in SOT404 (D2-PAK)PHD108NQ03LT in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Logic level compatibl

9.1. Size:60K philips
phd10n10e 1.pdf

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor PHD10N10E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope suuitable for VDS Drain-source voltage 100 Vsurface mounting. The device is ID Drain current (DC) 11 Aintended for use in Switched Mode Ptot Total power dissipation

9.2. Size:773K nxp
phd101nq03lt.pdf

PHD101NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 5 31 October 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Feature

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