PHD21N06LT Todos los transistores

 

PHD21N06LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHD21N06LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 56 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 15 V

Corriente continua de drenaje (Id): 19 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Tiempo de elevación (tr): 88 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 95 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.07 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

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PHD21N06LT Datasheet (PDF)

1.1. phd21n06lt.pdf Size:113K _philips2

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Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP21N06LT, PHB21N06LT Logic level FET PHD21N06LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA • ’Trench’ technology d VDSS = 55 V • Low on-state resistance • Fast switching ID = 19 A • Logic level compatible RDS(ON) ≤ 75 mΩ (VGS = 5 V) g RDS(ON) ≤ 70 mΩ (VGS = 10 V) s GENERAL DESCRIPTION

1.2. phb21n06lt phd21n06lt php21n06lt.pdf Size:114K _philips2

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Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS? transistor PHP21N06LT, PHB21N06LT Logic level FET PHD21N06LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 55 V Low on-state resistance Fast switching ID = 19 A Logic level compatible RDS(ON) ? 75 m? (VGS = 5 V) g RDS(ON) ? 70 m? (VGS = 10 V) s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mo

 

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