PHD21N06LT Todos los transistores

 

PHD21N06LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHD21N06LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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PHD21N06LT Datasheet (PDF)

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PHD21N06LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP21N06LT, PHB21N06LT Logic level FET PHD21N06LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 55 V Low on-state resistance Fast switching ID = 19 A Logic level compatibleRDS(ON) 75 m (VGS = 5 V)gRDS(ON) 70 m (VGS = 10 V)sGENERAL DESCRIPTION

 ..2. Size:114K  philips
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PHD21N06LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP21N06LT, PHB21N06LT Logic level FET PHD21N06LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 55 V Low on-state resistance Fast switching ID = 19 A Logic level compatibleRDS(ON) 75 m (VGS = 5 V)gRDS(ON) 70 m (VGS = 10 V)sGENERAL DESCRIPTION

 ..3. Size:229K  nxp
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PHD21N06LT

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

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History: QM3004N3 | STN4826

 

 
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