PHD50N06LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHD50N06LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 13 V
Corriente continua de drenaje (Id): 50 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V
Tiempo de elevación (tr): 80 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.022 Ohm
Empaquetado / Estuche: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHD50N06LT
PHD50N06LT Datasheet (PDF)
1.1. phd50n06lt.pdf 
Size:156K _philips2
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP50N06LT, PHB50N06LT, PHD50N06LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA • ’Trench’ technology VDSS = 55 V d • Very low on-state resistance • Fast switching ID = 50 A • Stable off-state characteristics • High thermal cycling performance RDS(ON) ≤ 24 mΩ (VGS = 5 V) g • Low thermal
3.1. phb50n03lt phd50n03lt php50n03lt 7.pdf Size:111K _philips2
Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS? transistor PHP50N03LT, PHB50N03LT Logic level FET PHD50N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 48 A High thermal cycling performance Low thermal resistance RDS(ON) ? 16 m? (VGS = 10 V) g Logic level compatible RDS(ON) ? 2
Otros transistores... NTF5P03T3 , NTF6P02 , NTGD1100L , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , IRF540N , NTGS3441 , NTGS3443 , NTGS3446 , NTGS3455 , NTGS4111P , NTGS4141N , NTGS5120P , NTHC5513 .
