PHD50N06LT Todos los transistores

 

PHD50N06LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHD50N06LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 13 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Tiempo de elevación (tr): 80 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.022 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

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PHD50N06LT Datasheet (PDF)

1.1. phd50n06lt.pdf Size:156K _philips2

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PHD50N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP50N06LT, PHB50N06LT, PHD50N06LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA • ’Trench’ technology VDSS = 55 V d • Very low on-state resistance • Fast switching ID = 50 A • Stable off-state characteristics • High thermal cycling performance RDS(ON) ≤ 24 mΩ (VGS = 5 V) g • Low thermal

3.1. phb50n03lt phd50n03lt php50n03lt 7.pdf Size:111K _philips2

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PHD50N06LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS? transistor PHP50N03LT, PHB50N03LT Logic level FET PHD50N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 48 A High thermal cycling performance Low thermal resistance RDS(ON) ? 16 m? (VGS = 10 V) g Logic level compatible RDS(ON) ? 2

 

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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