PHD50N06LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHD50N06LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 13 V
Corriente continua de drenaje (Id): 50 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V
Tiempo de elevación (tr): 80 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.022 Ohm
Empaquetado / Estuche: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHD50N06LT
PHD50N06LT Datasheet (PDF)
1.1. phd50n06lt.pdf 
Size:156K _philips2
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP50N06LT, PHB50N06LT, PHD50N06LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA • ’Trench’ technology VDSS = 55 V d • Very low on-state resistance • Fast switching ID = 50 A • Stable off-state characteristics • High thermal cycling performance RDS(ON) ≤ 24 mΩ (VGS = 5 V) g • Low thermal
3.1. phb50n03lt phd50n03lt php50n03lt 7.pdf Size:111K _philips2
Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS? transistor PHP50N03LT, PHB50N03LT Logic level FET PHD50N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 48 A High thermal cycling performance Low thermal resistance RDS(ON) ? 16 m? (VGS = 10 V) g Logic level compatible RDS(ON) ? 2
Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .
