PHD77NQ03T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHD77NQ03T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

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PHD77NQ03T Datasheet (PDF)

..1. Size:99K philips
phd77nq03t phu77nq03t.pdf

PHD/PHU77NQ03TN-channel TrenchMOS FETRev. 01 28 November 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Fast switching Low thermal resistance1.3 Applications DC-to-DC converters Computer motherboard1.4 Quick reference data VDS 25 V

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History: IXTV280N055TS

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: