PHD77NQ03T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHD77NQ03T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 107 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 25 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 75 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.2 V

Tiempo de elevación (tr): 7.6 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 400 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0095 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

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PHD77NQ03T Datasheet (PDF)

1.1. phd77nq03t phu77nq03t.pdf Size:99K _philips2

PHD/PHU77NQ03T N-channel TrenchMOS FET Rev. 01 — 28 November 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Fast switching Low thermal resistance 1.3 Applications DC-to-DC converters Computer motherboard 1.4 Quick reference data VDS ≤ 25 V

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