PHD77NQ03T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHD77NQ03T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 107 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 25 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 75 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.2 V
Tiempo de elevación (tr): 7.6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 400 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0095 Ohm
Empaquetado / Estuche: DPAK
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PHD77NQ03T Datasheet (PDF)
1.1. phd77nq03t phu77nq03t.pdf 
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PHD/PHU77NQ03T N-channel TrenchMOS FET Rev. 01 — 28 November 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Fast switching Low thermal resistance 1.3 Applications DC-to-DC converters Computer motherboard 1.4 Quick reference data VDS ≤ 25 V
Otros transistores... NTF5P03T3 , NTF6P02 , NTGD1100L , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , IRF540N , NTGS3441 , NTGS3443 , NTGS3446 , NTGS3455 , NTGS4111P , NTGS4141N , NTGS5120P , NTHC5513 .
