Справочник MOSFET. PHD77NQ03T

 

PHD77NQ03T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHD77NQ03T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для PHD77NQ03T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD77NQ03T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:99K  philips
 phd77nq03t phu77nq03t.pdf pdf_icon

PHD77NQ03T

PHD/PHU77NQ03TN-channel TrenchMOS FETRev. 01 28 November 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Fast switching Low thermal resistance1.3 Applications DC-to-DC converters Computer motherboard1.4 Quick reference data VDS 25 V

Другие MOSFET... PHD22NQ20T , PHD23NQ10T , PHD34NQ10T , PHD36N03LT , PHD37N06LT , PHD44N06LT , PHD50N06LT , PHD66NQ03LT , STP75NF75 , PHD78NQ03LT , PHD82NQ03LT , PHD87N03LT , PHD96NQ03LT , PHD98N03LT , PHN210 , PHP101NQ03LT , PHP101NQ04T .

History: AP4415GJ-HF | LSD60R1K4HT | RHU003N03FRA | HM2310B | IPB160N04S2-03 | AOB9N70L | IPA60R1K0CE

 

 
Back to Top

 


 
.