PHD77NQ03T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHD77NQ03T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для PHD77NQ03T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD77NQ03T даташит

 ..1. Size:99K  philips
 phd77nq03t phu77nq03t.pdf pdf_icon

PHD77NQ03T

PHD/PHU77NQ03T N-channel TrenchMOS FET Rev. 01 28 November 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Fast switching Low thermal resistance 1.3 Applications DC-to-DC converters Computer motherboard 1.4 Quick reference data VDS 25 V

Другие IGBT... PHD22NQ20T, PHD23NQ10T, PHD34NQ10T, PHD36N03LT, PHD37N06LT, PHD44N06LT, PHD50N06LT, PHD66NQ03LT, 7N65, PHD78NQ03LT, PHD82NQ03LT, PHD87N03LT, PHD96NQ03LT, PHD98N03LT, PHN210, PHP101NQ03LT, PHP101NQ04T