PHP143NQ04T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHP143NQ04T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 710 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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PHP143NQ04T datasheet

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PHP143NQ04T

PHP/PHB143NQ04T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 01 13 May 2004 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Standard level threshold Very low on-state resistance. 1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC-to-DC

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PHP143NQ04T

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP14NQ20T, PHB14NQ20T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching High thermal cycling performance ID = 14 A Low thermal resistance g RDS(ON) 230 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power

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PHP143NQ04T

PHP/PHB/PHD14NQ20T TrenchMOS standard level FET Rev. 03 11 March 2002 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHP14NQ20T in SOT78 (TO-220AB) PHB14NQ20T in SOT404 (D2-PAK) PHD14NQ20T in SOT428 (D-PAK). 1.2 Features Low on-state resistance Fast s

Otros transistores... PHP101NQ04T, PHP108NQ03LT, PHP110NQ06LT, PHP110NQ08LT, PHP110NQ08T, PHP112N06T, PHP119NQ06T, PHP129NQ04LT, SKD502T, PHP14NQ20T, PHP152NQ03LTA, PHP160NQ08T, PHP165NQ08T, PHP174NQ04LT, PHP176NQ04T, PHP21N06T, PHP222NQ04LT