PHP143NQ04T Todos los transistores

 

PHP143NQ04T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHP143NQ04T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 710 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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PHP143NQ04T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  philips
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PHP143NQ04T

PHP/PHB143NQ04TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 13 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Standard level threshold Very low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC-to-DC

 9.1. Size:64K  philips
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PHP143NQ04T

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP14NQ20T, PHB14NQ20T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching High thermal cycling performance ID = 14 A Low thermal resistancegRDS(ON) 230 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power

 9.2. Size:269K  philips
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PHP143NQ04T

PHP/PHB/PHD14NQ20TTrenchMOS standard level FETRev. 03 11 March 2002 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHP14NQ20T in SOT78 (TO-220AB)PHB14NQ20T in SOT404 (D2-PAK)PHD14NQ20T in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Low on-state resistance Fast s

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History: HUFA75309D3 | APM2054ND | AP4813GSM-HF | HMS200N04D | STF20N65M5 | PHX45NQ11T | FDD9411F085

 

 
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