PHP152NQ03LTA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHP152NQ03LTA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 87 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1040 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PHP152NQ03LTA datasheet

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PHP152NQ03LTA

PHP/B152NQ03LTA N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 05 March 2004 Product data 1. Product profile 1.1 Description Logic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Low on-state resistance Low gate charge Low thermal resistance. 1.3 Applications DC-to-DC converters Swi

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PHP152NQ03LTA

PHP/B152NQ03LTA N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 05 March 2004 Product data 1. Product profile 1.1 Description Logic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Low on-state resistance Low gate charge Low thermal resistance. 1.3 Applications DC-to-DC converters Swi

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PHP152NQ03LTA

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHP15N06E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. VDS Drain-source voltage 60 V The device is intended for use in ID Drain current (DC) 15 A Switched Mode Power Supplies Ptot Total power dissipation 60 W (SMPS), mo

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