PHP152NQ03LTA Todos los transistores

 

PHP152NQ03LTA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHP152NQ03LTA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 87 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1040 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHP152NQ03LTA

 

PHP152NQ03LTA Datasheet (PDF)

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PHP/B152NQ03LTAN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 05 March 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Low on-state resistance Low gate charge Low thermal resistance.1.3 Applications DC-to-DC converters Swi

 ..2. Size:83K  philips
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PHP/B152NQ03LTAN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 05 March 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Low on-state resistance Low gate charge Low thermal resistance.1.3 Applications DC-to-DC converters Swi

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