PHP225NQ04T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHP225NQ04T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0031 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHP225NQ04T

PHP225NQ04T Datasheet (PDF)

..1. Size:91K philips
phb225nq04t php225nq04t.pdf

PHP/PHB225NQ04TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 12 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Standard level threshold Very low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC-to-DC

8.1. Size:98K philips
php225 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPHP225Dual P-channel enhancementmode MOS transistor1997 Jun 20Product specificationSupersedes data of November 1994File under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationDual P-channel enhancementPHP225mode MOS transistorFEATURES PINNING - SOT96-1 (SO8) High-speed switchingPIN SYMBOL DESCRIPTION

8.2. Size:931K cn vbsemi
php225.pdf

PHP225www.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top View

9.1. Size:91K philips
phb222nq04lt php222nq04lt.pdf

PHP/PHB222NQ04LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 13 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC

9.2. Size:54K philips
php222 3.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D315PHP222Dual P-channel enhancementmode MOS transistorPreliminary specification 1998 Apr 01Supersedes data of 1998 Mar 24File under Discrete Semiconductors, SC13Philips Semiconductors Preliminary specificationDual P-channel enhancementPHP222mode MOS transistorFEATURES PINNING - SOT96-1 (SO8) Very low on-state resistancePIN SY

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: