Справочник MOSFET. PHP225NQ04T

 

PHP225NQ04T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHP225NQ04T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 82 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1390 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP225NQ04T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  philips
phb225nq04t php225nq04t.pdfpdf_icon

PHP225NQ04T

PHP/PHB225NQ04TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 12 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Standard level threshold Very low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC-to-DC

 8.1. Size:98K  philips
php225 2.pdfpdf_icon

PHP225NQ04T

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETPHP225Dual P-channel enhancementmode MOS transistor1997 Jun 20Product specificationSupersedes data of November 1994File under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationDual P-channel enhancementPHP225mode MOS transistorFEATURES PINNING - SOT96-1 (SO8) High-speed switchingPIN SYMBOL DESCRIPTION

 8.2. Size:931K  cn vbsemi
php225.pdfpdf_icon

PHP225NQ04T

PHP225www.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top View

 9.1. Size:91K  philips
phb222nq04lt php222nq04lt.pdfpdf_icon

PHP225NQ04T

PHP/PHB222NQ04LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 13 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SM1F13NSK | BSC032N03SG | FDC645N | BF964S | SST111 | NTD4904N-1G | EFC6612R

 

 
Back to Top

 


 
.