PHP36N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHP36N03LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 57.6 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 43.4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 160 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHP36N03LT
PHP36N03LT Datasheet (PDF)
phd36n03lt php36n03lt.pdf
PHD/PHP36N03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 8 June 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level compatible Low gate charge1.3 Applications DC-to-DC converters Switched-mode power supplies1.4 Quick r
php36n06e.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHP36N06E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. VDS Drain-source voltage 60 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 41 Aautomotive applications, Switched Ptot Total power dissipation 125 WMode
php36n06e 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHP36N06E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. VDS Drain-source voltage 60 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 41 Aautomotive applications, Switched Ptot Total power dissipation 125 WMode
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