PHP36N03LT Todos los transistores

 

PHP36N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHP36N03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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PHP36N03LT Datasheet (PDF)

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PHD/PHP36N03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 8 June 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level compatible Low gate charge1.3 Applications DC-to-DC converters Switched-mode power supplies1.4 Quick r

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Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHP36N06E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. VDS Drain-source voltage 60 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 41 Aautomotive applications, Switched Ptot Total power dissipation 125 WMode

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PHP36N03LT

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHP36N06E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. VDS Drain-source voltage 60 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 41 Aautomotive applications, Switched Ptot Total power dissipation 125 WMode

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History: PHB23NQ10LT | PMXB56EN | 75N75L-TQ2-R | IPB100N04S4-H2

 

 
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