PHP66NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHP66NQ03LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de PHP66NQ03LT MOSFET
PHP66NQ03LT Datasheet (PDF)
php66nq03lt phu66nq03lt.pdf

PHP/PHU66NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 06 12 August 2004 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Low on-state resistance.1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switching.1
Otros transistores... PHP24N03LT , PHP32N06LT , PHP34NQ11T , PHP36N03LT , PHP45N03LT , PHP45NQ15T , PHP52N06T , PHP54N06T , 10N65 , PHP71NQ03LT , PHP73N06T , PHP75NQ08T , PHP78NQ03LT , PHP83N03LT , PHP96NQ03LT , PHP9N60E , PHU101NQ03LT .
History: OSG80R300KF | HAT2292C | PMF400UN | PSMN9R0-30LL | IPB097N08N3 | FQD3P20TM | AO4264C
History: OSG80R300KF | HAT2292C | PMF400UN | PSMN9R0-30LL | IPB097N08N3 | FQD3P20TM | AO4264C



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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