PHP66NQ03LT Todos los transistores

 

 

PHP66NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHP66NQ03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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PHP66NQ03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  philips
 php66nq03lt phu66nq03lt.pdf pdf_icon

PHP66NQ03LT

PHP/PHU66NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 06 12 August 2004 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Low on-state resistance.1.3 Applications DC-to-DC converters General purpose switching.1

Otros transistores... PHP24N03LT , PHP32N06LT , PHP34NQ11T , PHP36N03LT , PHP45N03LT , PHP45NQ15T , PHP52N06T , PHP54N06T , 4N60 , PHP71NQ03LT , PHP73N06T , PHP75NQ08T , PHP78NQ03LT , PHP83N03LT , PHP96NQ03LT , PHP9N60E , PHU101NQ03LT .

History: SQM110N04-03 | IRF1018EPBF | 50N06L-TQ2-T | IRF1010ZSPBF

 

 
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