PHP83N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHP83N03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 590 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHP83N03LT

PHP83N03LT Datasheet (PDF)

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php83n03lt.pdf

PHP83N03LT; PHB83N03LT;PHE83N03LTN-channel TrenchMOS transistorRev. 01 23 January 2001 Product specification1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHP83N03LT in a SOT78 (TO-220AB)PHB83N03LT in a SOT404 (D2-PAK)PHE83N03LT in a SOT226 (I2-PAK).2. Features Low on-state res

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Liste

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