PHP83N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHP83N03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 115 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 25 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 15 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 75 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Tiempo de subida (tr): 14 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 590 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

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PHP83N03LT Datasheet (PDF)

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php83n03lt.pdf

PHP83N03LT; PHB83N03LT;PHE83N03LTN-channel TrenchMOS transistorRev. 01 23 January 2001 Product specification1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHP83N03LT in a SOT78 (TO-220AB)PHB83N03LT in a SOT404 (D2-PAK)PHE83N03LT in a SOT226 (I2-PAK).2. Features Low on-state res

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Liste

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