PHP83N03LT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHP83N03LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 590 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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PHP83N03LT datasheet

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PHP83N03LT

PHP83N03LT; PHB83N03LT; PHE83N03LT N-channel TrenchMOS transistor Rev. 01 23 January 2001 Product specification 1. Description N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability PHP83N03LT in a SOT78 (TO-220AB) PHB83N03LT in a SOT404 (D2-PAK) PHE83N03LT in a SOT226 (I2-PAK). 2. Features Low on-state res

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